Kritik uygulamalarla desteklenen, geniş aralıklı yarı iletken uygulama patlamaları

Yarı iletken endüstrisi yavaş yavaş Moore Sonrası döneme girerken,geniş bant aralıklı yarı iletkenlerönemli bir "geçiş değişimi" alanı olarak kabul edilen tarihi sahnedeler. 2024 yılında SiC ve GaN tarafından temsil edilen geniş bant aralıklı yarı iletken malzemelerin iletişim, yeni enerji araçları, yüksek hızlı tren, uydu iletişimi, havacılık ve diğer senaryolar gibi senaryolarda uygulanmaya devam etmesi ve diğer senaryolarda kullanılması beklenmektedir. kullanılmış. Uygulama pazarı hızla büyüyor.

Silisyum karbür (SiC) cihazların maksimum uygulama pazarı yeni enerji araçlarında olup, on milyarlarca pazarın açılması beklenmektedir. Silikon tabanın nihai performansı, yüksek sıcaklık, yüksek voltaj, yüksek frekans, yüksek güç gibi koşullar altında uygulama gereksinimlerini karşılayabilen silikon alt tabakadan daha iyidir. Mevcut silisyum karbür substrat radyo frekansı cihazlarında (5G, ulusal savunma vb.) kullanılmıştır ve ve veUlusal Savunma, vesaire.Güç cihazı(yeni enerji vb. gibi). Ve 2024 yılı SIC'nin üretim alanını genişleteceği yıl olacak. Wolfspeed, BOSCH, ROHM, INFINEON ve TOSHIBA gibi IDM üreticileri genişlemeyi hızlandırdığını duyurdu. 2024 yılında SiC üretiminin en az 3 kat artacağı düşünülüyor.

Nitrür (GaN) Elektrik Elektroniği hızlı şarj alanında bir terazide uygulanmıştır. Daha sonra, çalışma voltajını ve güvenilirliğini daha da iyileştirmesi, yüksek güç yoğunluğunu, yüksek frekansı ve yüksek entegrasyon yönlerini geliştirmeye devam etmesi ve uygulama alanını daha da genişletmesi gerekiyor. Özellikle, kullanımıtüketici elektroniği, otomobil uygulamaları, veri merkezleri, VeSanayiVeelektrikli araçlarartmaya devam edecek ve bu da GaN sektörünün 6 milyar ABD dolarından fazla büyümesini destekleyecektir.

Oksidasyonun (Ga₂O₃) ticarileştirilmesi özellikle aşağıdaki alanlarda yaklaşıyor:elektrikli araçlar, elektrik şebekesi sistemleri, havacılıkve diğer alanlar. Önceki ikisiyle karşılaştırıldığında Ga₂O₃ tek kristalinin hazırlanması, silikon tek kristaline benzer erime büyüme yöntemiyle tamamlanabilir, dolayısıyla büyük bir maliyet düşürme potansiyeline sahiptir. Aynı zamanda son yıllarda oksit malzemelere dayanan Schottky diyotları ve kristal boruları yapısal tasarım ve süreç açısından çığır açan ilerlemeler kaydetti. SCHOTTKY diyot ürünlerinin ilk partisinin 2024 yılında piyasaya sürüleceğine inanmak için nedenler var.